晶体管、晶体管制备方法和芯片

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管、晶体管制备方法和芯片。本申请的晶体管包括栅极金属、第一多晶硅二极管、第一隔离层和第二隔离层；第一多晶硅二极管包括第一区域、第二区域、第三区域；第一隔离层位于第一多晶硅二极管和栅极金属之间，第一隔离层包括第一隔离区域和第二隔离区域，第一隔离区域的厚度大于第二隔离区域；第一隔离区域与第三区域相接，并且第一隔离区域设置有接通栅极金属和第三区域的第一接触孔，第二隔离区域与第二隔离层相接，第二隔离层与第一区域相接。如此，在刻蚀接触孔的过程中，即使多晶硅二极管边缘处的光刻胶和第一隔离层被刻蚀，第二隔离层仍然可以包裹多晶硅二极管，避免多晶硅二极管与栅极金属接触。