一种降低欧姆接触电阻的工艺方法及激光器芯片

本申请提出一种降低欧姆接触电阻的工艺方法及激光器芯片，其方法包括：在晶圆表面生长扩散阻挡层，并进行退火处理，以使晶圆内形成Ga空位；对扩散阻挡层进行光刻后形成扩散窗口，并进行导电介质扩散，以使导电介质填补Ga空位。本申请提出的工艺方法，能够降低欧姆接触电阻，从而提升产品可靠性、提高产品良率。