一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路

申请号：CN202410827272

申请日期：2024-06-25

公开号：CN118842287A

公开日期：2024-10-25

类型：发明专利

摘要

本发明提供了一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路，属于功率半导体器件及其驱动技术领域。其技术方案为：通过在SiC MOSFET栅源引入并联支路，以在栅极驱动路径中加入适当的阻尼，抑制振荡。同时，根据开关过程线性等效电路的传递函数表达式构成适应度函数，利用粒子群算法，设计该并联支路的电路参数，进一步缩短开关过渡时间，提高开关频率，减少开关损耗。

技术关键词

粒子群优化算法功率管栅源电容碳化硅杂散电感驱动电源场效应管粒子群算法 N沟道支路速度参数栅极驱动信号电阻值连线