半导体封装及其制备方法

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半导体封装及其制备方法
申请号:CN202410851746
申请日期:2024-06-27
公开号:CN118824958A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种半导体封装及其制备方法,半导体封装包括芯片、封装壳体和封装电极部,芯片包括本体部和信号电极,封装电极部与电路板连接,本体部设置于封装电极部背离电路板的一侧,本体部背离封装电极部的一侧设置有信号电极;封装壳体设置于封装电极部背离电路板的一侧并与封装电极部围合形成容纳腔,本体部位于容纳腔中;其中,在由封装电极部靠近电路板的一端指向封装电极部远离电路板的一端的方向上,封装电极部的热膨胀系数逐渐递减。本发明实施例提供一种半导体封装及其制备方法,能够缓解材料之间热膨胀系数不匹配的问题,更好的匹配封装和印刷电路板连接的需求,分散了不同材料之间的热应力分布,降低了由于应力集中导致的损坏风险。
技术关键词
半导体封装 电极 电路板 转接线 极片 导电层 壳体 融化技术 芯片 钨铜合金 信号 空隙 模锻 层叠 应力 激光 风险