功率器件封装结构及封装方法

本发明公开了一种功率器件封装结构包括：引线框架、上管和下管MOSFET、驱动芯片、铜片夹扣、第一和第二陶瓷覆铜板。上管MOSFET正装在引线框架的第一载片台上，下管MOSFET倒装在引线框架的第二载片台上。铜片夹扣连接上管MOSFET的源极衬垫和下管MOSFET的漏极衬垫并连接到第一框架引脚。上管MOSFET的正面包括第一和第二区域，铜片夹扣覆盖第一区域。第一陶瓷覆铜板设置在铜片夹扣上。第二陶瓷覆铜板设置在第一载片台上位于上管MOSFET覆盖区域外的第三区域。上管MOSFET的栅极衬垫和第二陶瓷覆铜板电连接。驱动芯片叠加在第二区域上。环氧塑封料包封第一陶瓷覆铜板之外的正面区域。还本发明还公开了一种功率器件封装方法。本发明能实现芯片堆叠从而减少面积，同时还能实现双面散热。