一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法

本申请公开了一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法，具体涉及碳化硅衬底晶片生产领域，具体包括以下步骤：S1、数据的采集；S2、模型训练；S3、清洗准备；S4、污染类型判断；S5、碳化硅衬底晶片表面污染清洗，本发明中，通过互联网获取海量去除碳化硅衬底晶片污染的案例数据信息，对数据进行分类，根据其表面污染的成分数据、污染面积数据以及污染源色彩特征数据对其进行数据的提取，根据数据完成匹配模型的构建，根据这些数据输入匹配模型，去匹配相关案例，从而快速判断对于碳化硅衬底晶片的表面污染处理采取何种手段，有效地提升了碳化硅衬底晶片表面污染的处理效率。