一种超薄镜面钼圆片及其制备方法和应用

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一种超薄镜面钼圆片及其制备方法和应用
申请号:CN202410858589
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118875962A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种超薄镜面钼圆片及其制备方法和应用,可以制备出高平整度(平面度≦0.05mm)、低粗糙度(Ra≦10nm)的超薄镜面钼圆片,满足半导体制造对材料的高要求。该方法通过结合多种技术手段,采用低应力、低变形量的紫外激光冷切割技术、高温校平、双面研磨和抛光处理、以及精密的加工参数;消除加工热应力及毛刺对后续研磨抛光的影响,提高研磨质量,确保钼圆片在获得高平整度的同时,不会导致其厚度和形状发生变化。同时,本发明的方法简单易行,适合大规模生产,相比于现有的化学机械研磨,本发明不需要特殊的设备和复杂的工艺,只需要普通的研磨抛光设备和高温热处理设备,就可以实现超薄钼圆片的高精度加工,具有广阔的应用前景。
技术关键词
双面抛光 镜面 高温热处理设备 大功率LED芯片 磁力抛光设备 冷切割技术 研磨抛光设备 平面度 粗糙度 半导体材料 抛光布 抛光盘 抛光液 抛光轮 去离子水 碳化硅 激光 氧化铝