一种反极性红光LED芯片及其制作方法

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。一种反极性红光LED芯片，包括从下至上依次设置的P电极、Si衬底、第一键合层、第二键合层、阻挡层、银镜面层、介质膜层、GaP窗口层、P型半导体层、发光层、N型半导体层以及N电极；所述N型半导体层包括设置于所述粗化层上表面的GaAs欧姆接触环；所述N电极包括电极镜面层、电极内层和电极外层；所述电极镜面层嵌入至所述GaAs欧姆接触环中。本申请提供的反极性LED芯片具有高亮度、性能可能稳定、生产成本低的优点。