一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法
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一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法
申请号:
CN202410911237
申请日期:
2024-07-09
公开号:
CN118473365B
公开日期:
2024-10-01
类型:
发明专利
摘要
本公开实施例提供一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法。该结构包括:衬底、介质层和压电层,其中介质层和压电层垂直堆叠并位于衬底的表面;介质层、压电层和第一金属层共同组成多个声表面波谐振器;第二金属层,包括第二金属层谐振器间隔部和第二金属层谐振器电气连接部,其中第二金属层谐振器间隔部的两端部分和第一金属层相接而其中心部分和衬底表面相接,第二金属层谐振器电气连接部的一端和第一金属层相接而其另一端和衬底表面相接。
技术关键词
声表面波谐振器
声表面波滤波器
芯片结构
衬底
叉指电极
电气
声表面滤波器
叠层
介质
碳化硅
氮化铝
氮化硅
氧化硅
金属剥离工艺
光刻胶图案
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