一种用于半导体激光器腔面AlN薄膜的制备方法及应用

本发明涉及一种用于半导体激光器腔面AlN薄膜的制备方法及应用，属于半导体激光器腔面镀膜技术领域，使用电子回旋共振离子镀膜设备(ECR),可在低温，低压及低损伤的情况下产生高活性，高密度，低能量的辅助镀膜用离子束，具有无极放电、放电区域集中等特点。所制备的绝缘AlN薄膜尤其能适用于GaAs、AlGaAs、AlGaInP体系的半导体激光器腔面镀膜，这类激光器腔面要求薄膜生长温度低、致密性好。