一种芯片厚度分离方法
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一种芯片厚度分离方法
申请号:
CN202410924152
申请日期:
2024-07-11
公开号:
CN118471906A
公开日期:
2024-08-09
类型:
发明专利
摘要
本申请提供了一种芯片厚度分离方法,包括以下步骤:提供用于加工的晶圆,晶圆具有第一面部以及与第一面部相对设置的第二面部,且,晶圆的第一面部上具有切割道;在切割道内进行激光开槽得到预开槽,对晶圆的第二面部进行减薄处理;在晶圆的第二面部粘贴第二膜,用于对晶圆进行支撑与保护,且,将晶圆上的第一膜撕掉;对晶圆中的晶粒进行扩张,用以使得晶圆进行分离;本发明通过设置预开槽可以使得晶圆的边缘处在进行隐形镭射的过程中裂痕可以沿着切割道延伸的方向进行蔓延,进而可以有效地避免发生晶圆表面结构和材料脱落的情况。
技术关键词
面部
晶圆
芯片
金属圈
衬底层
激光
直线
电路