一种半导体激光器芯片及激光器
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一种半导体激光器芯片及激光器
申请号:
CN202410924403
申请日期:
2024-07-11
公开号:
CN118472793B
公开日期:
2024-12-10
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体激光器芯片及激光器,涉及半导体激光器技术领域。该半导体激光器芯片包括依次层叠设置的N型层结构、有源层及P型层结构,P型层结构具有脊条,脊条在靠近腔面的位置设置有横模反射区;横模反射区具有两个分别开设于脊条在慢轴方向上相对两侧的反射槽,反射槽具有槽口、与槽口相对设置的槽底、由槽口远离腔面的一端延伸至槽底的反射槽壁;反射槽壁在沿槽口至槽底的方向上逐渐向腔面靠拢。本发明提供的半导体激光器芯片能够在无损耗的情况下减少高阶横模光束的输出,使得发散角减小,实现高亮度输出。
技术关键词
半导体激光器芯片
P型层结构
包覆层
P型接触层
填充物
波导
半导体激光器技术
高阶横模
尺寸
层叠
氮化硅
氧化硅
间距
光束
损耗
直线
空气