摘要
本发明提供了一种基于FPGA的反激芯片监测评估方法、系统、电子设备,方法包括采集开关损耗和导通损耗的实时数值,通过监测芯片上的Vds信号来判断输入高压或低压,以获取开关损耗信息,测量芯片内部的Rdson值以获得导通损耗信息,根据预先定义的电压范围或系统动态需求自适应调整高低压阈值,根据仿真芯片内部工作情况,评估不同VFB/VCS比值下的性能,在仿真中使用高低压阈值设定输入高压和低压的判断条件,触发相应操作和调整,模拟芯片内部电路结构和工作条件以获取参数,通过改变芯片内部反馈电压和比较电压的比例来调节VFB/VCS比值,调节VFB/VCS比值以影响芯片内部的峰值电流,降低开关频率和开关损耗。本发明可以提供一个高效、稳定且节能的电源管理解决方案。