一种具有约瑟夫森结的超导芯片及制备方法

本发明实施例公开了一种具有约瑟夫森结的超导芯片及制备方法，超导芯片包括衬底基板、下电极层、氧化层和上电极层；下电极层位于衬底基板的一侧表面上，下电极层包括一体连接的第一本体部和第一凸起部；氧化层位于第一凸起部远离衬底基板的一侧表面上；上电极层位于氧化层远离衬底基板的一侧表面上，上电极层包括一体连接的第二本体部和第二凸起部，且第二凸起部与氧化层在衬底基板上的正投影至少部分交叠，约瑟夫森结为第一凸起部、氧化层与第二凸起部依次层叠设置的结构。第一凸起部和第二凸起部为梯形形状，通过梯形结构设计，避免常规的窄条带结构，该超导芯片将辐射限制于约瑟夫森结中，减少微波辐射损耗，降低二能级缺陷浓度和缺陷灵敏度。