一种压控可调自旋波移相器

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一种压控可调自旋波移相器
申请号:CN202410975414
申请日期:2024-07-19
公开号:CN118693490B
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种压控可调自旋波移相器,包括:铁磁层,作为自旋波波导传输自旋波;导入层和导出层,位于所述铁磁层上方且分别与所述铁磁层的两端相连,所述导入层用于导入所述自旋波,所述导出层用于导出所述自旋波;压控层,位于所述铁磁层上方且与所述铁磁层的两端之间的位置相连,所述压控层包括绝缘层和金属电极层,所述金属电极层位于所述绝缘层之上,所述压控层用于通过调控所述金属电极层的长度、电压和所述绝缘层的厚度中的一种或多种改变所述自旋波的相位。本发明通过调控金属电极层的长度、电压和绝缘层的厚度来改变自旋波的相位,而且结构简单,容易集成,可用于自旋波芯片和现代通信领域。
技术关键词
自旋波移相器 金属电极层 磁电系数 电压 饱和磁化强度 波导 衬底 参数 单轴 频率 关系 效应 理论 芯片 真空
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