面向具有潜径干扰的ReRAM的极化码构造方法
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面向具有潜径干扰的ReRAM的极化码构造方法
申请号:
CN202410981634
申请日期:
2024-07-22
公开号:
CN118762731A
公开日期:
2024-10-11
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种面向具有潜径干扰的ReRAM的极化码构造方法,所述方法包括如下步骤:使用数据矩阵表示ReRAM的信道单元;计算ReRAM信道单元的读回信号;引入单元选择器解决ReRAM的潜行路径问题;对ReRAM的非对称信道进行极化码构造;其中,所述极化码构造方法为基于密度进化算法推导误码率并进行极化码构造,具体包括:基于极端情况的加权密度进化算法构造极化码;基于通道假设的密度进化算法构造极化码。本发明构造的极化码可以在较低的码率下实现更加卓越的性能。
技术关键词
构造极化码
进化算法
码构造方法
信道
概率密度函数
误码率
矩阵
噪声样本
电阻值
数据
通道
低电阻
误差
信号
指令
计算机
处理器
节点