摘要
本发明涉及半导体芯片领域，公开了一种高吸附性半导体芯片清洗剂及制备方法，该高吸附性半导体芯片清洗剂包括以下重量份组分：阴离子表面活性剂10～25份、有机硅表面活性剂5～10份、碳酸钠1～3份、离子液体缓蚀剂1～5份、螯合剂1～5份、渗透剂0.5～1份、去离子水40～60份；所述有机硅表面活性剂为利用短链含氢线性硅氧烷与聚乙二醇烯丙基甲基醚通过硅氢加成反应合成的有机硅表面活性剂；所述离子液体缓蚀剂为利用N‑丁基咪唑和羧乙基硫代丁二酸合成的离子液体缓蚀剂，本发明制备的清洗剂能高效快速清洁芯片表面，清洗效果好，不会腐蚀和攻击金属元件，表面光亮无氧化，清洗率可达到99％以上，同时具有较高的安全性和环境友好性。
