摘要
本发明提供了一种功率半导体模块衬底和功率半导体模块，包括沿第一方向设置的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层，其侧边至少部分相邻，第一辅助功率金属敷层设于第一功率金属敷层、第二功率金属敷层之间，且与第一功率金属敷层、第二功率金属敷层相邻。第一功率金属敷层、第二功率金属敷层贯穿功率半导体模块衬底的第二方向，第二方向与第一方向垂直。功率端子设于模块衬底的上侧，信号端子设于模块衬底的下侧；AC端子与第一辅助功率金属敷层连接，DC正极端子与第二功率金属敷层连接，DC负极端子与第一辅助功率金属敷层连接；第一功率金属敷层、第二功率金属敷层上分别设有至少两个功率半导体芯片，功率半导体芯片包括IGBT芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片。
