LOD效应失配模型提取方法及其存储介质

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LOD效应失配模型提取方法及其存储介质
申请号:CN202411045185
申请日期:2024-07-31
公开号:CN119294332A
公开日期:2025-01-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种LOD效应失配模型提取方法,包括:S1,设计不同有源区长度尺寸器件;S2,对多组成对相同源区长度尺寸的器件结构下的电性参数进行晶圆的full map测试;S3,计算同一个Die下相同源区长度尺寸两个器件的阈值电压差异值和饱和电流差异值;S4,对所有Die下两个器件的电性参数计算Median值以及计算标准差Sigma,判断各die数据是否合理,去除各不合理die数据,保留合理die数据;S5,对合理die的阈值电压差异值和饱和电流差异值进行计算标准差,得到阈值电压和饱和电流的失配数据值,对失配数据值进行拟合仿真获得各参数失配率仿真曲线;S6,建立LOD效应中的失配模型;S7,对失配模型调整参数,得到有源区长度相关的失配模型。
技术关键词
失配模型 阈值电压差异 长度尺寸 有源区 效应 器件结构 数据 参数 仿真软件 可读存储介质 线性 曲线 沟槽 栅极 计算机 电流