一种硅压阻压力传感器稳定性的快速评价方法
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一种硅压阻压力传感器稳定性的快速评价方法
申请号:
CN202411060274
申请日期:
2024-08-05
公开号:
CN119063908A
公开日期:
2024-12-03
类型:
发明专利
摘要
本发明提供了一种硅压阻压力传感器稳定性的快速评价方法,该该方法首先通过随机振动——温度与压力循环——随机振动的环境应力筛选过程,通过采集环境应力筛选过程中的数据,并设置相关判据,一方面剔除故障传感器,另一方面释放硅压阻压力传感器内部的残余应力以使其性能指标趋于稳定,之后通过对释放残余应力后的硅压阻压力传感进行连续性能监测,通过测试数据推算出传感器在一年或者多个年内的长期稳定性误差。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中传感器稳定性指标测试时间长导致难以实现快速评价的技术问题。
技术关键词
硅压阻压力传感器
性能测试数据
故障传感器
评价方法
误差
压力敏感芯片
应力
测试点
指标
精度