具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法

申请号：CN202411072487

申请日期：2024-08-06

公开号：CN119208479A

公开日期：2024-12-27

类型：发明专利

摘要

本公开提供了一种具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层和复合电流阻挡层；复合电流阻挡层位于外延层的一侧，复合电流阻挡层包括依次层叠的第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述发光二极管芯片的沟道的刻蚀角度为60～80°。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的出光效率。

技术关键词

电流阻挡层发光二极管芯片外延原子层沉积设备 Si源气体气相沉积设备光刻工艺速率层叠薄膜台面射频功率压力