一种基于钙钛矿材料的全彩Micro-LED芯片阵列及其制备方法

本发明属于显示领域，公开一种基于钙钛矿材料的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，包括多个颜色的钙钛矿Micro‑LED芯片，每个颜色钙钛矿Micro‑LED芯片包括功能层和电极，所述的功能层包括Micro‑LED底部传输层、Micro‑LED活性层和Micro‑LED顶部传输层，在单色钙钛矿Micro‑LED活性层上通过卤素阴离子交换的方法获得其它颜色的钙钛矿Micro‑LED活性层。本发明全彩钙钛矿Micro‑LED可以通过衬底图案化直接制备满足分辨率的显示屏幕，相对于基于巨量转移制备的Micro‑LED芯片阵列，其制备成本低，易于实现钙钛矿Micro‑LED芯片阵列的高通量生产。