磁场可编程逆向设计方法、结构和电子设备及介质

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
磁场可编程逆向设计方法、结构和电子设备及介质
申请号:CN202411084526
申请日期:2024-08-08
公开号:CN119203640B
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
公开了一种磁场可编程逆向设计方法、结构和电子设备及介质,方法中,这种薄膜是通过折叠的方式进行磁化对磁场进行设计,深度学习通过训练模型将磁性物质材料薄膜中折剪纸的结构参数与最终磁场分布信息结合,找到某种函数关系式,从而在有特殊磁场设计需求时,可以通过模型找到对应的折剪纸结构几何参数,达到逆向设计,在comsol中建立折剪纸相关的几何参数模型,分块分区域对结构进行磁化,以模拟折叠后磁化的磁化效果,后续在matlab中对仿真结果进行后处理,在matlab中改变参数可以短时间获得大量数据集,基于此数据集模型库训练深度学习模型,进行逆向设计。
技术关键词
逆向设计方法 有限元分析软件 剪纸 磁性薄膜结构 训练深度学习模型 优化器 电子设备 数据 参数可调 传播算法 折痕 计算机 分块 处理器 指令 网络结构