半导体封装结构及其形成方法

申请号：CN202411123156

申请日期：2024-08-15

公开号：CN119110597A

公开日期：2024-12-10

类型：发明专利

摘要

本公开的各个实施例针对包括位于基底结构上面的第一集成电路(IC)芯片的半导体封装结构。电IC芯片位于基底结构上面，并且设置在第一IC芯片周围。电IC芯片电耦合至第一IC芯片。光子IC芯片位于基底结构上面，并且电耦合至电IC芯片。光子IC芯片配置为接收输入光信号。光子IC芯片与电IC芯片相邻。本申请的实施例还涉及半导体封装结构及其形成方法。

技术关键词

光子集成电路芯片半导体封装结构基底结构存储器集成电路中介层集成电路芯片配置 IC芯片电耦合光信号光电检测器电信号光纤结构光学耦合图形处理单元横向间隔开驱动器电路放大器电路