一种氮化镓双向开关器件、芯片及电子设备

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件、芯片及电子设备。包括：氮化镓共漏双向器件主管、第一泄放结构、第二泄放结构、第一触发结构、第二触发结构。氮化镓双向开关器件开关过程中，当正向dv/dt产生，衬底感应出正电荷时，第一泄放结构或者第二泄放结构导通，将衬底感应出的正电荷进行泄放，将衬底电位拉到低电位；当负向dv/dt产生，衬底感应出负电荷时，通过第一触发结构、第二触发结构触发第一泄放结构或者第二泄放结构导通，使得衬底感应出的负电荷进行泄放，将衬底拉到低电位，使得氮化镓双向开关器件同时具有正向、负向dv/dt的控制能力，有效地改善氮化镓双向开关器件的动态特性，提升系统效率和稳定性。