一种GaAs刻蚀工艺仿真工艺及系统

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一种GaAs刻蚀工艺仿真工艺及系统
申请号:CN202411132610
申请日期:2024-08-19
公开号:CN118656991B
公开日期:2024-11-12
类型:发明专利
摘要
本发明属于刻蚀管理技术领域,具体是一种GaAs刻蚀工艺仿真工艺及系统,包括仿真平台,仿真平台包括模型构建模块、优化反馈模块、可视化操作模块和运行综合评估模块;本发明通过仿真平台基于GaAs刻蚀仿真模型来分析在相应工艺参数下GaAs刻蚀的结果,优化反馈模块基于仿真结果评估刻蚀工艺的各项性能指标并识别刻蚀工艺中存在的问题,且针对识别出的问题生成相应的优化建议,为半导体制造工艺的优化提供了有力支持,有助于降低制造成本和提高产品质量,且通过运行综合评估模块判断仿真平台的运行表现状况,以提醒管理人员及时加强对仿真平台的监管,保证仿真平台的稳定高效运行,智能化程度高。
技术关键词
仿真平台 刻蚀工艺 仿真工艺 异常信号 仿真模型 数值 标记 分析模块 仿真系统 管理终端 模块通信 亮度 参数 半导体 内存