一种功率半导体的结温测量方法
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一种功率半导体的结温测量方法
申请号:
CN202411133711
申请日期:
2024-08-19
公开号:
CN118655440B
公开日期:
2024-12-17
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种功率半导体的结温测量方法,属于半导体测量技术领域,其具体包括:构建非侵入性电路实时采集温敏参数,利用深度学习从历史数据中建立温敏参数与结温的非线性模型,再通过机器学习算法融合处理温敏参数,计算实时结温;结合热阻、热容及预设热管理指标,综合评估功率半导体热状态,并将评估结果反馈至控制系统;控制系统据此自动提出优化建议,实现了功率半导体工作状态的智能监控与调节,提升了系统稳定性与效率。
技术关键词
判断功率半导体
测量方法
热管理策略
结温
非线性
机器学习算法融合
参数
热阻
传感器阵列配置
评估算法
反馈给控制系统
综合评估模型
综合热管理
红外温度传感器
指标
制造商