一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路

本发明公开了一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路，包括脉冲产生电路、电平转换支路、噪声消除电路、负VS容差提升电路、锁存模块；噪声消除电路可以有效抑制dVS/dt噪声的影响，负VS容差提升电路可以提升电路对VS负电压的容差，保证输入信号可以准确地传入锁存模块进行输出，提高氮化镓半桥功率芯片的可靠性。