一种高晶体质量高光效的倒装发光二极管芯片及其制备方法

本发明公开了一种高晶体质量高光效的倒装发光二极管芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力渐变层、n型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电极层二。其中缓冲层和应力渐变层均为掺杂渐变的复合结构，能够有效的降低氮化镓材料的缺陷密度。本发明通过采用以上所述的缓冲层结构、应力渐变层结构，得到高晶体质量的LED外延片，减少光在LED材料内部的散射及缺陷吸收的几率，从而有效的提高了倒装LED芯片的出光效率。