沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置

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沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置
申请号:CN202411450800
申请日期:2024-10-17
公开号:CN118966123B
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置,涉及半导体制造技术领域,包括:建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合,并进行能效关联参数的关键度分析,建立关键能效参数;配置理想仿真模型进行应用场景集合的模拟测试,记录模拟测试结果,建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现;利用应用场景集合搭建测试场景,执行沟槽肖特基二极管的能效测试,建立场景能效测试结果;对齐场景能效测试结果和理想能效表现,建立场景能效和寄生能效损失;根据场景能效和寄生能效损失进行应用场景能效管理。本申请解决了现有方法难以捕捉应用场景差异和寄生效应对能效的影响,导致能效分析不够全面和准确的技术问题,提高了能效分析的准确性与全面性。
技术关键词
沟槽肖特基二极管 能效分析方法 执行沟槽 测试场景 仿真模型 参数 嵌入式传感器 测试模块 无线通信基站设备 数据校正 能效分析装置 汽车电气系统 太阳能逆变器 高频开关电源 分析模块 物理 温升