集成芯片及其形成方法
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集成芯片及其形成方法
申请号:
CN202411453115
申请日期:
2024-10-17
公开号:
CN119451251A
公开日期:
2025-02-14
类型:
发明专利
摘要
本发明提供一种波导光侦测器包括在衬底上的板、从板向上突出的第一和第二接点部分以及从第一和第二接点部分之间的板向上突出的脊。第一半导体层在衬底上,并包括第一接点部分中的第一掺杂区、第一接点部分和脊之间的板中的第二掺杂区、脊中的第三掺杂区和第六掺杂区、第二接点部分中的第四掺杂区,第二接点部分和脊之间的板中为第五掺杂区,第六和第三掺杂区之间的第一本征区,第六和第五掺杂区之间的第二本征区。第二半导体层在第一本征区上且在第六和第三掺杂区之间。
技术关键词
掺杂区
半导体层
集成芯片
光侦测器
横向间隔开
衬底
波导
介电帽
蚀刻