一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法

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一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法
申请号:CN202411455506
申请日期:2024-10-17
公开号:CN119936599A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法,所述系统包括:数据采集模块,用于配置退化测试模式,按照所述退化测试模式进行退化测试获取退化数据,利用所述退化数据进行分析,得到潜在的故障前兆;诊断模块,用于根据所述故障前兆检查及诊断功率MOSFET的内部结构的健康状况,使用人工智能算法估计功率MOSFET的剩余寿命。本发明实现简单,能够同时检测多种不同的故障模式,定期轻松便捷地检查退化的设备的内部结构的健康状况。
技术关键词
人工智能算法 功率 机器学习模型 数据采集模块 诊断模块 扫描声学显微镜 漏源导通电阻 漏源击穿电压 移动平均滤波器 加速寿命测试 记忆 模式 神经网络算法 预测特征 热检测 正向电压 电容