一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法
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一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法
申请号:
CN202411455506
申请日期:
2024-10-17
公开号:
CN119936599A
公开日期:
2025-05-06
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种功率MOSFET的诊断及寿命估计的系统及方法,所述系统包括:数据采集模块,用于配置退化测试模式,按照所述退化测试模式进行退化测试获取退化数据,利用所述退化数据进行分析,得到潜在的故障前兆;诊断模块,用于根据所述故障前兆检查及诊断功率MOSFET的内部结构的健康状况,使用人工智能算法估计功率MOSFET的剩余寿命。本发明实现简单,能够同时检测多种不同的故障模式,定期轻松便捷地检查退化的设备的内部结构的健康状况。
技术关键词
人工智能算法
功率
机器学习模型
数据采集模块
诊断模块
扫描声学显微镜
漏源导通电阻
漏源击穿电压
移动平均滤波器
加速寿命测试
记忆
模式
神经网络算法
预测特征
热检测
正向电压
电容