一种高压平面型可控硅的制作方法

本发明提供了一种高压平面型可控硅的制作方法，其在正面P型基区四周边缘环绕有扩展结，扩展圆的直径大小不一，且随着远离正面P型基区逐渐缩小，可使得掺杂浓度沿正面P型基区向边缘方向连续线性递减，同时掺杂浓度逐渐减少使得结深也在逐步降低，可有效改善主结电场，进而降低终端的尺寸，降低芯片面积；以及在硅片正面形成有复合钝化膜，可对外加电场具有屏蔽作用，避免了表面击穿，提高了反向耐压，且不易开裂，可控硅产品性能更加优越。