摘要
本发明公开了一种套刻精度误差量测方法，包括：步骤一、设计一套包括前层和当层2D OVL标识的2D OVL标识组。步骤二、建立OCD模型，包括：步骤21、在第一晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法进行量测并获取第一光谱数据。步骤22、采用第二种OVL量测方法进行量测并获得第一OVL结果；第二种OVL量测方法包括BSE OVL量测方法。步骤23、采用第一OVL结果作为参考并基于第一光谱数据进行建模并得到OCD模型。步骤三、在第二晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法进行量测并获取第二光谱数据，将第二光谱数据和OCD模型的所述第一光谱数据进行匹配并获得第二OVL结果。本发明能采用OCD量测实现2D OVL标识图形的OVL测量，能同时提高量测速度和量测准确性。
