一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法

本发明公开了一种基于数字孪生模型的MOCVD设备沉积方法，包括以下步骤：步骤一、根据实际MOCVD设备的结构和尺寸条件，建立MOCVD设备的数字孪生几何模型，步骤二、构建仿真的数字孪生模型；步骤三、通过工艺参数数据范围，CFD对数字孪生几何模型进行数值模拟，得到不同的工艺参数对应的流动状态数据，以及在该流动状态下的模拟生长速率；步骤四、对模拟生长速率进行修正；步骤五、获得不同工艺参数下的层流、紊流状态图，并形成可视化工控平台；步骤六、在MOCVD设备中对产品进行沉积。本发明构建出MOCVD腔体稳定性的数字孪生体，建立可直观、交互式的可视化平台，以数字模型与实验，共同指导高质量外延材料的设计和优化，实现高质量、高效率和高可靠性的薄膜外延技术和高端氧化物半导体MOCVD装备的研发提供理论基础。