用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置

本发明公开了用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置，涉及垂直腔面发射激光器相关领域，该方法包括：获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率；根据VCSEL芯片应用场景类型，采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数；通过光束质量预测器进行映射，生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率；选取满足光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率的湿法氧化控制参数，设为监测调控基准参数；进行湿法氧化监控。解决了现有VCSEL芯片湿法氧化孔径调控存在的精度控制不足的技术问题，达到了提高VCSEL芯片氧化孔径的精度控制水平的技术效果。