一种宽禁带半导体器件单粒子漏电的仿真分析方法

本发明公开了一种宽禁带半导体器件单粒子漏电的仿真分析方法，首先，构建待仿真功率器件的几何模型，计算功率器件的空位缺陷密度，进行二维建模及网格划分，建立功率器件的电学模型，拟合功率器件的电学曲线；然后，引入高能粒子入射后的碰撞电离模型，优化迁移率及漏电退化参数，建立功率器件相应的漏电退化模型；最后进行损伤机理分析，通过改变辐射过程中的影响参数，提取功率器件的微观物理参数随时间的变化，进行功率器件的加固和优化。本发明方法可以准确仿真出不同粒子辐射器件的物理过程，提取宽禁带半导体器件漏电过程中不同的微观物理参数，通过建立不同漏电模型，对宽禁带半导体器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供技术基础。