晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质

本申请实施例提供了一种晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质。晶圆抛光方法包括：获取对晶圆进行抛光的抛光时间的第一取值范围、抛光头的抛光压力的第二取值范围和晶圆的目标去除量；根据第一取值范围和第二取值范围对预设的约束条件进行更新，获得目标约束条件；其中，约束条件用于约束抛光时间和抛光压力的范围；将抛光时间和抛光压力作为优化模型的待优化变量，至少将预测去除量与目标去除量的差异最小作为优化模型的优化目标，根据预设的去除率预测模型构建优化模型；基于目标约束条件和优化模型，确定抛光时间和抛光压力；根据确定出的抛光时间和抛光压力，控制抛光头对晶圆进行抛光。