干燥方法及干燥装置

本发明属于芯片制造技术领域，公开了干燥方法及干燥装置。该干燥方法用于硅片的慢提拉干燥过程，具体地，超纯水的温度为T，其中T＜50℃；硅片位于超纯水内部并向上托举；当硅片的部分结构被托举出液面后，完成托举和提拉的交接；其中交接过程中，硅片始终被向上托举，且托举和提拉的交接位置处，提拉速度大于托举速度。通过本发明，能提升对硅片干燥的适应性，在托举和提拉交接过程中能够避免硅片晃动，降低硅片表面出现局部水痕的可能性，提升硅片制造的合格率。