半导体器件三维电热特性分析方法及系统

本发明公开了一种半导体器件三维电热特性分析方法及系统，方法包括：S1、多物理场数学物理模型推导；S2、通过网格单元将完整的几何器件模型进行剖分，构建以每个网格结点为中心的控制体单元；S3、利用边缘值和矢量基插值计算网格内部电流密度；S4、采用插值增强有限体积法格式和时域后向差分构造单元矩阵方程；S5、通过遍历求解域中所有的网格单元，构造系统矩阵方程。本发明可以很好的用于半导体器件三维电热特性分析。