原位透射电子显微镜观测纳米多孔金属间化合物形成的方法

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原位透射电子显微镜观测纳米多孔金属间化合物形成的方法
申请号:CN202411581922
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119395052A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本发明为原位透射电子显微镜观测纳米多孔金属间化合物形成的方法,首先制备前驱体合金,再利用聚焦离子束技术(FIB)将微观前驱体样品转移至TEM原位加热芯片上用于原位TEM测试;在TEM环境氛围下将加热芯片加热至一定温度并保温,从而观测气相脱合金法生成纳米多孔金属间化合物的形成过程。本发明的观测方法是在原位条件下,纳米多孔金属间化合物的形成过程,可实现高温、高稳定性以及高分辨率的原位TEM观测,操作简便,观测效果优异,对于推动以及扩大纳米多孔金属材料的研究以及应用都具有重要的价值。
技术关键词
原位加热芯片 样品台 TEM样品杆 聚焦离子束技术 透射电子显微镜 电子束 纳米多孔金属材料 脱合金法 纳米多孔材料 观测方法 气相 凹坑 聚光镜