基于互锁结构的混合键合结构及键合方法

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基于互锁结构的混合键合结构及键合方法
申请号:CN202411590995
申请日期:2024-11-08
公开号:CN119447105A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法,所述混合键合结构包括:待键合的第一芯片,其上具有氧化硅层及凸出于氧化硅层的第一连接件;待键合的第二芯片,其上具有聚酰亚胺层、设于聚酰亚胺层内的凹陷及设于凹陷底部的第二连接件,且第二连接件的表面设有第一粘附层,第一连接件及第二连接件的材质包括铜和/或铝;待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为:在键合前,第一连接件凸出氧化层的高度差大于第一粘附层顶面与氧化硅层顶面的高度差,在键合后,氧化硅层与聚酰亚胺层连接且第一连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二连接件连接,并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。
技术关键词
互锁结构 混合键合结构 聚酰亚胺层 混合键合方法 氧化硅 芯片 热压 掩模 横截面尺寸 种子层 干法刻蚀工艺 电镀工艺 参数 压力