GaN HEMT的封装结构和封装方法

本发明提供了一种GaN HEMT的封装结构和封装方法，该结构包括GaN HEMT芯片和框架，芯片的背面设有散热金属层，框架的基岛中设有凹槽，散热金属层嵌入凹槽内并从基岛中穿出与外部环境接触。封装方法包括：在芯片背面制备散热金属层并将芯片嵌入到框架的基岛中，使散热金属层嵌入凹槽内并从基岛中穿出与外部环境接触。本发明中，通过将散热金属层嵌入到框架的基岛中并从基岛中穿出与外部环境接触，可以缩短热传递路程并降低热阻，而且可以提高散热效率和可靠性，同时还能避免在芯片背面与框架之间使用连接材料，具有热阻小、散热性好、可靠性高等优点，对于充分发挥GaN HEMT优异的高频性能并促进其广泛使用具有重要意义。