交流耦合SiC低增益探测器芯片、低增益探测器及制备方法

本发明提供一种交流耦合SiC低增益探测器芯片、低增益探测器及制备方法，所述芯片由下至上依次包括N型电极层、N型基底层、N型有源层、N+增益层、P+型电极层和绝缘层，其中：所述绝缘层顶部设置有交流电极层和直流电极层，所述N型电极层为阴极，所述直流电极层为阳极，并采用结终端扩展结合刻蚀形成终端层。本发明相较于常规耦合探测器，其位置分辨对像素尺寸的要求较低，减少了探测死区和SiC在刻蚀台面终端中造成的漏电流大的问题，同时兼具优异的位置分辨和时间分辨特性。