一种三维电磁干扰隔离结构、制备方法和芯片

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一种三维电磁干扰隔离结构、制备方法和芯片
申请号:CN202411656108
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119673922A
公开日期:2025-03-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片内部电磁干扰屏蔽技术领域,提出一种三维电磁干扰隔离结构、制备方法和芯片,包括:多个接地金属垫片和多个接地孔;接地金属垫片设置在芯片的表面;多个接地金属垫片沿相邻功能模块之间的间隙的长度方向排列;一个接地金属垫片对应两个接地孔;接地孔的一端连接接地金属垫片,接地孔的另一端连接芯片的接地层;每相邻两个接地金属垫片之间跨接有键合线。本发明可降低芯片内部需要隔离的相邻两个功能模块之间的电磁干扰,可兼容各种封装设计,保证产品的一致性,以及在不改变芯片版图设计的情况下,也方便后期调试,从而降低由于电磁干扰导致的芯片重新设计带来的风险。
技术关键词
电磁干扰隔离 金属垫片 内部电磁干扰 功能模块 芯片版图设计 键合线 屏蔽技术 铝丝 风险