基底结构及其形成方法、存储装置及其制造方法、电子设备
申请号:CN202411657486
申请日期:2024-11-18
公开号:CN119517870A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
一种基底结构及其形成方法、存储装置及其制造方法、电子设备,其中所述基底结构包括:第一衬底,所述第一衬底具有衬底流道;第二衬底,所述第二衬底具有芯片流道,所述芯片流道与所述衬底流道相连通。所述基底结构中第一衬底的衬底流道和第二衬底的芯片流道相连通,所述衬底流道和所述芯片流道适宜于提供冷却液的流通;冷却液经流所述基底结构时,能够更高效的实现热量散逸,即所述基底结构的散热效率更高,所述基底结构的使用能够有效提高电子装置的散热能力,能够有效改善存储装置的散热能力。
技术关键词
基底结构
衬底
存储器结构
流道
存储装置
接口
沟槽
循环装置
存储器芯片
冷却液
电路板
片上系统芯片
通孔
电子设备
封闭结构
开放结构
布线
电子装置