基底结构及其形成方法、存储装置及其制造方法、电子设备

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基底结构及其形成方法、存储装置及其制造方法、电子设备
申请号:CN202411657486
申请日期:2024-11-18
公开号:CN119517870A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
一种基底结构及其形成方法、存储装置及其制造方法、电子设备,其中所述基底结构包括:第一衬底,所述第一衬底具有衬底流道;第二衬底,所述第二衬底具有芯片流道,所述芯片流道与所述衬底流道相连通。所述基底结构中第一衬底的衬底流道和第二衬底的芯片流道相连通,所述衬底流道和所述芯片流道适宜于提供冷却液的流通;冷却液经流所述基底结构时,能够更高效的实现热量散逸,即所述基底结构的散热效率更高,所述基底结构的使用能够有效提高电子装置的散热能力,能够有效改善存储装置的散热能力。
技术关键词
基底结构 衬底 存储器结构 流道 存储装置 接口 沟槽 循环装置 存储器芯片 冷却液 电路板 片上系统芯片 通孔 电子设备 封闭结构 开放结构 布线 电子装置
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