基于磁阻芯片的一体化绝缘子污秽度感知系统及方法

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基于磁阻芯片的一体化绝缘子污秽度感知系统及方法
申请号:CN202411674660
申请日期:2024-11-21
公开号:CN119511145A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电力系统技术领域,公开了基于磁阻芯片的一体化绝缘子污秽度感知系统及方法,本发明通过优化系统的设计和结构,使其能够兼容多种类型的绝缘子结构,适应不同电力设备和环境需求,不仅适用于传统的线性绝缘子,还可以在弯曲、复杂或特殊结构的绝缘子上使用,无需大规模的定制化设计或调整。这大大提高了设备的适应能力,增强了系统在不同安装场景下的通用性。本发明能够在各种绝缘子结构上稳定地采集电流泄漏数据,避免因结构不匹配导致的信号丢失或干扰,精准的数据采集为后续信号处理和分析提供了可靠的数据支持,确保感应信号的准确性和稳定性。
技术关键词
一体化绝缘子 磁阻芯片 绝缘子污秽度 绝缘子泄露电流 感知系统 电信号 绝缘子结构 主控系统 数据存储 绝缘子泄漏电流 隧穿磁阻效应 电路保护结构 后续信号处理 周期性 数据传输电路