一种纳米孔测序高分子膜及成膜方法

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一种纳米孔测序高分子膜及成膜方法
申请号:CN202411686798
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119490756A
公开日期:2025-02-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及纳米孔测序领域,具体公开了一种纳米孔测序高分子膜及成膜方法,该高分子膜为单层分子膜,由嵌段聚合物形成,所述嵌段聚合物包括亲水端聚合物和疏水端聚合物,所述亲水端聚合物的聚合度在4‑6之间,所述疏水端聚合物的聚合度在18‑33之间;该高分子膜的制备方法包括以下步骤:S1、将第一缓冲溶液加入到芯片的微结构中,将溶有嵌段聚合物的非极性溶剂通入微结构的流道,推走多余的第一缓冲溶液形成高分子膜的下界面;S2、将气体通入微结构中推走多余的非极性溶剂形成高分子膜的上界面;S3、加入第二缓冲溶液排净上层气体,等待嵌段聚合物排列稳定后即在芯片的微结构表面形成高分子膜。通过本发明的成膜工艺成膜易操作,破膜率低,具有较好的稳定性和电压耐受性。
技术关键词
纳米孔 嵌段聚合物 成膜方法 微结构表面 噁唑啉 聚烷基丙烯酸酯 聚二甲基硅氧烷 甲基丙烯酸酯 成膜工艺 气体 界面 聚丁二烯 芯片 角鲨烯 环氧乙烷 单层