单向沉管下沟管道应力校核方法、系统、设备和存储介质
申请号:CN202411691825
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119618443A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明涉及管道施工技术领域,具体公开一种单向沉管下沟管道应力校核方法、系统、设备和存储介质,包括:基于解析计算方式,确定单向沉管下沟管道的第一应力校核关联参数以及用于校核单向沉管下沟管道的应力的第一评价系数,并基于数值模拟方式,确定单向沉管下沟管道的第二应力校核关联参数以及用于校核单向沉管下沟管道的应力的第二评价系数;根据第一应力校核关联参数、第二应力校核关联参数、第一评价系数和第二评价系数,计算应力校核相对误差,并根据应力校核相对误差、第一评价系数和第二评价系数,判定单向沉管下沟管道是否通过应力校核。本发明解决了单一方法进行应力校核时难以验证校核结果准确性的问题,提高了应力校核的精准度。
技术关键词
校核方法
应力分析模型
参数
校核系统
可读存储介质
管道施工技术
数值
电子设备
处理器
计算机
模块
存储器
理论
强度