多层瓷介电容的失效处理方法、装置、设备及存储介质

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多层瓷介电容的失效处理方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202411701407
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119578170A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种多层瓷介电容的失效处理方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括:响应于确定多层瓷介电容失效,确定所述多层瓷介电容的实际裂纹状态;利用有限元模拟仿真构建所述多层瓷介电容的有限元三维模型;对所述有限元三维模型设置边界条件和模拟载荷参数;在满足所述边界条件下调整所述模拟载荷参数,并确定所述有限元三维模型出现所述实际裂纹状态时的目标载荷参数,依据所述目标载荷参数对所述多层瓷介电容进行失效分析。这样,利用构建的有限元三维模型能够进行多次高精度模拟准确复现失效现象,通过多次模拟准确地确定出现实际裂纹状态时的目标载荷参数,从而准确地对多层瓷介电容进行失效分析。
技术关键词
瓷介电容 三维模型 有限元模拟仿真 裂纹 载荷 参数 应力 网格 失效现象 电流 计算机 处理器 分析模块 工况 存储器 电子设备 模式 指令